GIST, 고분자 나노선 속 옹스트롬 단위 분자 배열의 비밀 풀었다… 전자소재 성능 조절의 새 길 열어
GIST, 고분자 나노선 속 옹스트롬 단위 분자 배열의 비밀 풀었다… 전자소재 성능 조절의 새 길 열어에 댓글 없음
GIST, 고분자 나노선 속 옹스트롬 단위 분자 배열의 비밀 풀었다… 전자소재 성능 조절의 새 길 열어 – 극저온 전자현미경으로 개별 나노선 내부의 분자 배열과 결정 질서 정밀 분석 – 구조적 불균일성을 설계 변수로 활용해 전하 이동도와 신축성 조절 성공 – 국제학술지 ≪Advanced Materials≫ 게재 ▲ (왼쪽부터) GIST 신소재공학과 이은지 교수(지도교수), 윤준연 학생(박사과정)…
정광운 교수팀, 고온·무수 환경 견디는 차세대 전해질막 개발
전북대학교 정광운 교수(고분자나노공학과) 연구팀이 액정 자기조립과 광중합 기술을 결합해 고온과 물이 없는 환경에서도 안정적으로 양성자를 전달할 수 있는 차세대 고분자 전해질막을 개발했다. 이번 연구는 고온 수소연료전지에 적용할 수 있는 무수(無水) 양성자전도막을 구현한 성과다. 연구팀은 인산기 기반 반응성 메조겐 분자의 자기조립 구조와 거시적 분자 배향을 동시에 제어해, 양성자가 이동하는 경로를 정밀하게 설계했다. 일반적인 양성자전도막은 수분에 의존해…